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存储芯片行业近期再现价格博弈。

据Digitimes报道，三星电子计划针对12层HBM3E产品实施约30%的降价策略，以加快出货、争夺市场份额。业内普遍认为，此举主要源于三星在良率爬坡与出货进度方面落后于竞争对手。

今年9月，三星12层HBM3E产品刚刚通过英伟达测试并正式开始供应，预计第四季度出货量将达到数万片，时间进度明显滞后于SK海力士和美光。

一、良率落后，降价成主要追赶手段

公开资料显示，SK海力士早在2024年便已通过HBM3E良率测试，并率先向英伟达供货；今年上半年更实现16层HBM3E量产。

美光方面，今年6月HBM3E良率已提升至70%以上，预计出货量超过8层产品。

在此背景下，三星自今年7月起即被传出向部分客户提出HBM3E降价方案，希望通过价格调整促成合作。三星方面当时也指出，HBM3E的供应增长速度可能超过需求增速，供需关系发生转变。

二、HBM4研发加速，新一轮技术竞争临近

HBM3E只是高带宽内存的第五代产品，而行业的重心已逐步转向下一代——HBM4。

三星计划在10月27日至31日举办的“2025年三星科技展”上发布第六代12层HBM4，并于年内量产。

SK海力士则在今年9月宣布完成全球首款HBM4的开发，已具备量产条件。

HBM4的推出，与英伟达等厂商的AI芯片架构升级密切相关。早在去年，英伟达首席执行官黄仁勋已表示，新一代Blackwell Ultra AI芯片将采用HBM4内存。

根据TrendForce集邦咨询调查，英伟达近期要求VeraRubin服务器机架的零组件供应商提升规格，其中HBM4速率需提高至10Gbps per pin。

分析认为，SK海力士在HBM4量产初期将继续保持领先地位。

三、价格与盈利：高带宽内存仍处上升周期

从价格趋势来看，TrendForce预计，2025年HBM平均销售单价（ASP）将同比上涨20.8%，达到1.80美元/Gb。

另有机构预测，明年12层HBM4产品单价约500美元，较当前约300美元的12层HBM3E高出逾60%。

尽管三星采取降价策略，但市场整体价格水平仍处上行区间，高带宽内存产品的盈利能力保持强势。

四、传统存储产品价格继续上涨

业内普遍认为，三星HBM产品价格调整对传统存储芯片市场的传导作用有限。

韩国KB证券研究主管Jeff Kim预计，若当前DRAM行情维持上涨，2025年非HBM内存芯片的盈利能力可能超过HBM。

据其估算，三星在今年三季度的标准DRAM业务运营利润率约40%，HBM业务约60%。

此外，市场消息显示，三星电子与SK海力士计划在第四季度继续上调DRAM及NAND等传统内存产品的报价，涨幅或高达30%，以顺应AI应用带来的存储需求增长。

五、结论

总体来看，三星对HBM3E实施降价的主要目的在于弥补良率爬坡滞后、抢占市场份额。

然而，随着HBM4研发与量产步伐加快，行业技术重心正迅速向新一代产品过渡。

短期的价格调整难以改变高带宽内存的长期高景气格局。

与此同时，DRAM、NAND等传统存储产品价格上行，预计将继续支撑存储产业整体盈利能力的提升。