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SK海力士的业绩报告，再次点燃了大家对于存储芯片的兴趣。

这家韩国存储巨头在最新财报中宣布，其2025三季度业绩创历史新高，运营利润飙升62%。更夸张的是，HBM高带宽内存更是已经售罄——公司2026年的全部DRAM和NAND供应，都已经被客户预定，HBM4将于2025年底出货。

对此，摩根士丹利给出一个判断——当前的行情，正在逼近2017-2018年的那一轮“存储黄金期”。该行不仅上调了2026年DRAM价格预期，更将SK海力士2025-2027年的每股收益预测分别上调5%、14%和15%。

这场“售罄”的故事，不只是供需表面的紧张。它揭示了AI计算架构下的能源、算力与存储博弈，也让资本市场重新思考存储芯片在AI生态中的位置。

HBM全面售罄：SK海力士站上浪潮之巅

这种“提前售罄”在存储行业并不常见。上一次出现类似情形，还要追溯到2017年的存储繁荣期。当时，全球服务器和智能手机市场带动了DRAM与NAND价格暴涨，三星、海力士、美光等厂商赚得盆满钵满。

但这一次，推力来自AI。AI模型的训练与推理对带宽要求极高，HBM（高带宽内存）成为AI GPU不可或缺的配套组件。无论是NVIDIA的Blackwell架构、还是AMD的MI300系列、英特尔的Gaudi系列，都采用了HBM方案。而SK海力士是全球领先的HBM供应商，在AI存储链条中占据关键位置。

因此，摩根士丹利将2025年DRAM全年价格涨幅预期由26%上调至30%，并预计涨势将延续至2026年。这主要是基于三点事实判断：

AI拉动结构性需求。 AI服务器对DRAM和HBM的需求持续上升。每台AI服务器的内存搭载量远远高于普通服务器，而AI训练集群规模持续扩张，这一趋势预计在未来两年不会减弱。

传统终端需求正在回暖。 智能手机与PC市场在经历两年调整后逐步复苏，手机出货量从2025第三季度开始有所回暖，尤其是AI PC与AI手机的兴起，带动高性能LPDDR5X与DDR5需求快速增长。

供应商理性主动控制产能。 主要厂商维持克制的扩产节奏，没有重演过去的“价格战”。这意味着供给端更加稳健，价格支撑更扎实。

摩根士丹利认为，这些因素共同构成了“良性的涨价周期”，不同于过去的短期泡沫。这是由AI驱动的真实需求周期。

AI驱动的存储逻辑：从容量到带宽

如果说2017年的存储周期由容量驱动，那么2025年的周期则是带宽驱动。

摩根士丹利指出，AI模型规模的爆炸式增长，让带宽成为关键瓶颈。过去十年，DRAM容量增长远超带宽，而HBM的出现，正是为了解决这一矛盾。

与传统DRAM相比，HBM通过3D堆叠与硅通孔（TSV）实现更高带宽和能效。每个HBM堆叠可集成多层芯片，带宽远超GDDR6，同时功耗更低。

SK海力士在HBM领域长期保持领先。从HBM2、HBM2E到HBM3、HBM3E，公司在工艺堆叠、封装与热管理上持续突破。其HBM3E产品已被多家顶级AI芯片采用，成为高性能计算不可或缺的组成部分。

摩根士丹利认为，HBM的稀缺性将推动DRAM整体价格中枢上移，带动高性能DDR5、LPDDR5X等产品的价格上行，形成“传导效应”。

在过去，存储周期往往维持18至24个月。但摩根士丹利预计，本轮周期可能更长。

原因在于，AI的需求增长曲线并非线性，而是指数型。英伟达、AMD、谷歌、微软、Meta等大型客户的AI数据中心投资持续扩大，带来对存储芯片的长期锁定。

海力士的订单数据印证了这一趋势。自2024年起，公司HBM出货量季度环比保持高增长，客户预订量甚至超过公司规划产能。与此同时，产能扩张速度受限于高端封装与验证周期。

HBM的生产复杂度极高，良率提升难度大，提升周期也远长于传统DRAM生产。业内普遍认为，这将限制整体供应释放。因此，即便SK海力士与合作伙伴加快封装产能扩充，整体供给仍将偏紧。

未来，HBM仍将是存储行业最核心的增长引擎。随着HBM3E量产推进、HBM4良率提升，存储芯片的头部公司在AI生态中的地位将进一步巩固。其盈利弹性将不再仅依赖市场价格，而更多来自技术领先和产品结构优化。