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如果把今天的AI数据中心比作一座高速运转的城市，那么算力芯片是“发动机”，而电源系统就是给整座城市供能的“电网”。

过去几年，大家关注的几乎都是 GPU、算力、HBM，但真正决定数据中心能不能撑住 AI 泵量的，还有一个更不起眼的环节——电源。

就在这股电力升级浪潮中，一家来自中国的功率半导体公司杀进了英伟达核心供应链：英诺赛科（Innoscience） 。

很多人第一次听到这家公司，是因为它接连推出用于数据中心的 GaN（氮化镓）高功率方案。最近，它又发布了一款 1.2kW 48V GaN 多相降压电源方案 ，被一些工程师评价为“把 PUE 再往前推了一截”。

一、英诺赛科是什么公司？为什么它总被提到？

英诺赛科是一家专注功率氮化镓（GaN）器件的企业，从工艺、设计、制造到封测全栈自研，是全球少有能“规模化量产 GaN”的公司。

它的特点有三个：

第一，做的是“功率GaN”而不是“射频GaN”。

前者是给电源、服务器、汽车等做高效供电的；后者常见于5G、雷达。功率GaN要求成本低、产能大，而英诺赛科的路线是“把GaN做得像Si一样能量产”。

第二，有自己的8英寸GaN晶圆厂。

公司是全球最大的 8 英寸氮化镓 IDM 企业，拥有完整的 8 英寸硅基氮化镓产业链，这是其当前的核心竞争力和战略重点。这也是它的行业壁垒。 GaN行业里多数企业靠外包，真正做到大规模生产的很少。

第三，产品已经进入数据中心、服务器、电源模块、新能源汽车48V架构等领域。

随着AI数据中心爆发，功率GaN的需求也在快速增长。

一句话总结：

英诺赛科是“AI算力背后的电源升级”中，非常关键的国产供应商之一。

二、什么是功率GaN？为什么AI数据中心急需它？

GaN（氮化镓）= 更省电、更小、更快、发热更低的“下一代电源芯片”。

相较于传统的 SiMOS（金属氧化物晶体管），GaN 有这几个突出特点：

① 转换效率更高 → 电费更省、发热更低

比如同样做一个降压电源，GaN 的损耗能比 Si MOS 少 20%–30%。

在 AI 数据中心这种“电都是按吨烧”的地方，光省下来的电费都是惊人的。

② 开关频率更高 → 电感、电容可以做得更小

这意味着整块电源板能做到小很多。

在机架服务器里，空间就是黄金，能省一点是一点。

③ 高功率密度 → 同样体积做更大功率

比如传统硅做 1kW 已经很吃力，但 GaN 做 1.2kW 轻松得多。

所以 AI 数据中心为什么迫切需要 GaN？

因为 AI 算力的电源系统正被压到极限。

现在的 AI 集群密度越来越高，一个机架动辄 30kW、50kW 往上，供电脱节、发热上升、PUE失控——这是行业普遍的痛点。

GaN 电源不是让算力更强，而是让数据中心不至于“热死”“撑不住”，本质上是基础设施补课。

三、理解 PUE：为什么数据中心越来越吃不消？

PUE（Power Usage Effectiveness）是评估数据中心能效的核心指标：

PUE = 总耗电量 ÷ IT 设备耗电量

如果 PUE=2.0

→ 意味着 IT设备用 1度电，

→ 额外还有 1度电被浪费在空调、转换损耗等地方。

当 AI 服务器数量爆炸时，这个数字会迅速飙升：

· GPU 的热设计功耗（TDP）暴涨

· 电源转换次数更多

· 传统 Si 电源效率受限

· 冷却成本上升，散热压力巨大

这就是为什么最近行业频繁讨论：

“AI 大模型训练不是缺芯片，是缺电。”

PUE 过高=浪费的钱更多，机房扩容更难，算力成本更高。

而英诺赛科的 48V GaN 方案，就是针对 PUE痛点推出的产品。

四、英诺赛科的 1.2kW GaN 方案到底厉害在哪里？

英诺赛科最新发布的是一套 48V → 12V/100A  的多相降压方案，用在服务器和数据中心的供电链路上。

亮点集中在三个维度：

1）效率高得不正常：峰值 98.1%

对比一下传统方案：

· 硅方案一般 96%–97%

· 英诺赛科 GaN 方案 98%+

别小看 1 个百分点，它在实际机房里的效果极其夸张：

每提升 1% 效率，热损耗下降 30% 以上。

热少了：

· 空调压力小

· 冷却成本下降

· PUE更容易压下去

这就是为什么行业的人说：

“一个百分点就是一场战争。”

2）体积做到了非常小：功率部分只 48×12mm

这意味着同一个机架里，你可以塞下更多的：

· 电源模块

· 加速卡

· 存储模块

真正帮服务器厂商“挤出空间”。

GaN 的小体积优势，是硅很难追上的。

3）散热表现大幅好于 Si：热点温度低 15℃ 以上

这是四个因素叠加的效果：

· GaN 本身损耗低

· 四相交错 Buck 降低电感温升

· 双面散热封装提升热扩散

· 高频磁材减少发热

对机房来说，散热是硬成本，而这套方案的效果非常直接：

同样功率，散热设备成本能明显减少。

也就是说，GaN 不只是省电，连“制冷费”也一起少了。

五、英诺赛科的财务表现如何？成长性是否匹配行业热度？

下面这部分是基于英诺赛科2024全年和2025前三季度财务数据的分析，整体趋势如下：

① 收入保持高速增长（30%–40%区间）

原因有三：

· GaN 在快充、电源、服务器等领域渗透加速

· 服务器、数据中心订单增长明显

· 48V 架构在汽车、工业场景上量

② 毛利率保持高位

GaN 是高附加值器件，英诺赛科自制产线带来了稳定的成本控制能力，因此毛利率相比传统功率器件厂商更高。

③ 研发投入大（占比约 18%–20%）

GaN 是技术密集型行业，封装、驱动IC、磁性材料都需要长期研发投入。高研发费用也意味着公司处于扩张期。

④ 盈利能力逐步改善

随着订单规模放大、产线利用率提升，净利率明显改善，典型特征是“规模效应开始显现”。

一句话总结：

财务表现符合一个高增长功率半导体公司的典型曲线：收入快、研发高、盈利爬坡中。

这也是为什么机构会开始关注。

六、美银证券首次覆盖英诺赛科：给出“买入”评级，目标价 108 港元

美银证券的核心观点可以概括为三点：

① 行业逻辑：GaN 正进入“量产加速期”

尤其是三个关键领域：

· AI 数据中心电源升级

· 新能源汽车 48V 辅电系统

· 工业/通讯电源小型化趋势

这些都是真实、持续的需求。

② 公司逻辑：英诺赛科具备“规模化 GaN 制造能力”

这是最大的壁垒。

不只做设计，公司自身掌握晶圆制造、封装、驱动IC，是行业里少见的全流程玩家。

③ 产品逻辑：数据中心升级将带来放量

这次 1.2kW GaN 方案是机构特别关注的亮点，因为：

在 AI 大模型驱动下，数据中心供电侧的迭代速度正在被迫加快。

GaN 的渗透率可能因此出现“跳跃式提升”。

七、写在最后：AI电源升级是一条长期赛道，英诺赛科正站在一个关键节点

很多投资者对 AI 行业的理解仍然停留在 GPU、HBM，但全球正出现一个重要趋势：

算力增长不是瓶颈，供电与散热才是。

这意味着：

· 电源系统

· 48V 架构

· 高效率 GaN 器件

· 小型化高密度电源模块

会成为未来 3–5 年最确定的建设方向。

英诺赛科的优势在于：

· 全链路 GaN 自研制造

· 核心器件持续迭代

· 明确切入数据中心供电路线

· 行业需求长期确定且高增速

但投资者也要注意：

· GaN 行业竞争逐步加剧

· 半导体行业波动大

· 新技术的放量需要时间

· 机构估值基于“成长预期”，并非短期行情保证

总体来看，英诺赛科正处在“行业快速上行+产品持续迭代”的窗口期，1.2kW GaN 方案是一个非常明确的信号：AI 电源革命正在到来，而这家公司已经开始押注并兑现产品能力。